昆山干膜光刻膠溶劑
1)增感劑(光引發(fā)劑):是光刻膠的關(guān)鍵成分,對光刻膠的感光度、分辨率起著決定性作用。2)感光樹脂(聚合劑):用于將光刻膠中不同材料聚合在一起,構(gòu)成光刻膠的骨架,決定光刻膠的硬度、柔韌性、附著力等基本屬性。3)溶劑:是光刻膠中比較大成分,目的是使光刻膠處于液態(tài),但溶劑本身對光刻膠的化學性質(zhì)幾乎無影響。4)助劑:通常是專有化合物,主要用來改變光刻膠特定化學性質(zhì)。根據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域,光刻膠可分為半導(dǎo)體光刻膠、LCD光刻膠和PCB光刻膠,其技術(shù)壁壘依次降低(半導(dǎo)體光刻膠> LCD光刻膠> PCB光刻膠)。從國產(chǎn)化進程來看,PCB光刻膠目前國產(chǎn)替代進度較快,LCD光刻膠替代進度相對較快,而在半導(dǎo)體光刻膠領(lǐng)域國產(chǎn)技術(shù)較國外先進技術(shù)差距比較大。氧化物型光刻膠:這種類型的光刻膠由氧化硅或其他窄帶隙材料制成。在制造高質(zhì)量微電子設(shè)備時非常有用。昆山干膜光刻膠溶劑
光刻膠行業(yè)具有極高的行業(yè)壁壘,因此在全球范圍其行業(yè)都呈現(xiàn)寡頭壟斷的局面。光刻膠行業(yè)長年被日本和美國專業(yè)公司壟斷。目前大廠商就占據(jù)了全球光刻膠市場 87%的份額,行業(yè)集中度高。其中,日本 JSR、東京應(yīng)化、日本信越與富士電子材料市占率加和達到72%。并且高分辨率的 KrF 和 ArF 半導(dǎo)體光刻膠技術(shù)亦基本被日本和美國企業(yè)所壟斷,產(chǎn)品絕大多數(shù)出自日本和美國公司,如杜邦、JSR 株式會社、信越化學、東京應(yīng)化工業(yè)、Fujifilm,以及韓國東進等企業(yè)。整個光刻膠市場格局來看,日本是光刻膠行業(yè)的巨頭聚集地。蘇州i線光刻膠光引發(fā)劑光刻膠發(fā)展至今已有百年歷史,現(xiàn)已用于集成電路、顯示、PCB 等領(lǐng)域,是光刻工藝的重要材料。
在半導(dǎo)體集成電路制造行業(yè);主要使用g線光刻膠、i線光刻膠、KrF光刻膠、ArF光刻膠等。在大規(guī)模集成電路的制造過程中,一般要對硅片進行超過十次光刻。在每次的光刻和刻蝕工藝中,光刻膠都要通過預(yù)烘、涂膠、前烘、對準、曝光、后烘、顯影和蝕刻等環(huán)節(jié),將光罩(掩膜版)上的圖形轉(zhuǎn)移到硅片上。
光刻膠是集成電路制造的重要材料:光刻膠的質(zhì)量和性能是影響集成電路性能、成品率及可靠性的關(guān)鍵因素。光刻工藝的成本約為整個芯片制造工藝的35%,并且耗費時間約占整個芯片工藝的40%-50%。光刻膠材料約占IC制造材料總成本的4%,市場巨大。因此光刻膠是半導(dǎo)體集成電路制造的重要材料。
光刻膠屬于半導(dǎo)體八大重要材料之一,根據(jù)全球半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(SEMI)近期數(shù)據(jù),光刻膠在半導(dǎo)體晶圓制造材料價值占比5%,光刻膠輔助材料占比7%,二者合計占比12%,光刻膠及輔助材料是繼硅片、電子特氣和光掩模之后的第四大半導(dǎo)體材料。光刻膠又稱光致抗蝕劑,是指通過紫外光、電子束、離子束、X射線等照射或輻射,其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料,目前被用于光電信息產(chǎn)業(yè)的微細圖形線路加工制作環(huán)節(jié)。光刻膠由增感劑(光引發(fā)劑)、感光樹脂(聚合劑)、溶劑與助劑構(gòu)成。根據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域不同,光刻膠可分為 PCB 光刻膠、LCD 光刻膠和半導(dǎo)體光刻膠,技術(shù)門檻逐漸遞增。
歷史上光刻機所使用的光源波長呈現(xiàn)出與集成電路關(guān)鍵尺寸同步縮小的趨勢。不同波長的光刻光源要求截然不同的光刻設(shè)備和光刻膠材料。在20世紀80年代,半導(dǎo)體制成的主流工藝尺寸在1.2um(1200nm)至 0.8um(800nm)之間。那時候波長436nm的光刻光源被大量使用。在90年代前半期,隨著半導(dǎo)體制程工藝尺寸朝 0.5um(500nm)和0.35um(350nm)演進,光刻開始采用365nm波長光源。436nm和365nm光源分別是高壓汞燈中能量比較高,波長**短的兩個譜線。高壓汞燈技術(shù)成熟,因此很早被用來當作光刻光源。使用波長短,能量高的光源進行光刻工藝更容易激發(fā)光化學反應(yīng)、提高光刻分別率。以研究光譜而聞名的近代德國科學家約瑟夫·弗勞恩霍夫?qū)⑦@兩種波長的光譜分別命名為G線和I線。這也是 g-line光刻和 i-line光刻技術(shù)命名的由來。目前,我國光刻膠自給率較低,生產(chǎn)也主要集中在中低端產(chǎn)品,國產(chǎn)替代的空間廣闊。上海半導(dǎo)體光刻膠集成電路材料
彩色光刻膠及黑色光刻膠市場也呈現(xiàn)日韓企業(yè)主導(dǎo)的格局,國內(nèi)企業(yè)有雅克科技、飛凱材料、彤程新材等。昆山干膜光刻膠溶劑
中美貿(mào)易摩擦:光刻膠國產(chǎn)代替是中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的迫切需要;自從中美貿(mào)易摩擦依賴,中國大陸積極布局集成電路產(chǎn)業(yè)。在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域,光刻膠作為是集成電路制程技術(shù)進步的“燃料”,是國產(chǎn)代替重要環(huán)節(jié),也是必將國產(chǎn)化的產(chǎn)品。光刻是半導(dǎo)制程的重要工藝,對制造出更先進,晶體管密度更大的集成電路起到?jīng)Q定性作用。每一代新的光刻工藝都需要新一代的光刻膠技術(shù)相匹配?,F(xiàn)在,一塊半導(dǎo)體芯片在制造過程中一般需要進行10-50道光刻過程。其中不同的光刻過程對于光刻膠也有不一樣的具體需求。光刻膠若性能不達標會對芯片成品率造成重大影響。昆山干膜光刻膠溶劑
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泡沫滅火劑可撲救可燃易燃液體的有效滅火劑,它主要是在液體表面生成凝聚的泡沫漂浮層,起窒息和冷卻作用。泡沫滅火劑分為化學泡沫、空氣泡沫、氟蛋白泡沫、水成膜泡沫和抗溶性泡沫等。適用范圍。泡沫滅火劑是與水混 。
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ProportionalValve,PV)則調(diào)節(jié)壓力和流率。比例閥主要的基本特性是將輸入信號轉(zhuǎn)換為特定的輸出信號。比例閥通常包括兩個器件—一個導(dǎo)向控制和一個閥單元。導(dǎo)向控制由兩個2/2通路導(dǎo)向閥或一個 。
溫度傳感器選型要考慮以下幾個方面:輸出信號。溫度傳感器信號輸出方式有很多種,常見的如電流、電壓、電阻等。傳感器的輸出信號跟上級儀表必須匹配,不匹配無法采集到溫度信號。第二就要考慮量程。不同的溫度傳感器 。